Sb-doped相关论文
通过能带结构、电子态密度、电子局域化函数、Bader电荷等方面的密度泛函理论(DFT)第一性原理计算,对掺杂了Sb的LiBiO3的电子结构......
ＥｆｆｅｃｔｏｆＧｒｏｗｔｈＰａｒａｍｅｔｅｒｓｏｎＣｏｒｅＬｅｎｇｔｈｏｆΦ７６．２ｍｍＨｅａｖｉｌｙＳｂ－ｄｏｐｅｄＳｉＣｒｙｓｔａｌｓＺｅｎｇＳｈｉｍｉｎｇ，ＨｅＬｉｎ，ＷａｎｇＪｕｎｙｉ，ＣｈａｎｇＱｉｎｇａｎｄＸｕＪｉａｎｇｈｕａ（曾世铭）.........
采用溶胶凝胶法浸渍提拉工艺制备透明导电膜，并考察了Sb^3＋的掺杂量、膜的厚度、热处理温度对薄膜电阻的影响，以及不同的处理方法对薄......
以ZnO和Sb2O3为前驱物,在5GPa、1100～1450℃条件下,制备出电学性能稳定的掺Sb的p型ZnO（记作ZnO：Sb）。其中1450℃掺杂4.6%Sb时合成了性......
用柠檬酸盐法合成了不同掺杂浓度的纳米ZnO，粒径约为15nm。探讨了Sb掺杂对ZnO光致发光峰的影响。随着掺杂量的提高，样品的发射峰从42......
采用水热法制备纯的及Sb5＋掺杂的TiO2纳米带，并用XRD和TEM对样品进行表征。研究结果表明：700 ℃焙烧的TiO2纳米带依然保持为锐钛矿相；......
将SnO2：Sb和SbCl3分别溶解于乙醇中，搅拌至完会溶解，以不同的Sb／Sb混合制备得到溶胶后，分别采用浸渍提拉、喷涂、旋涂工艺制备透明导电......
通过能带结构、电子态密度、电子局域化函数、Bader电荷等方面的密度泛函理论（DFT）第一性原理计算,对掺杂了Sb的LiBiO3的电子结构进......
Oxygen precipitates in heavily Sb-doped silicon after rapid thermal process (RTP) in Ar ambient were investigated by RTP......
